Herausgeber:
SSG Semiconductor Systems GmbH
Newsletter 1/09
Rubrik: Hall-Effekt-ICs
Datum: 27.02.2009
NEUE HALLEFFEKT-SCHALTER UND -LATCHES MIT VERBESSERTER SCHALTPUNKTPRÄZISION
UND VERSCHIEDENEN GEHÄUSEOPTIONEN
ECKDATEN:
- Halleffekt-Schalter unipolar/bistabil mit Open Collector-Ausgang
- Dynamische Offset-Kompensation
- Hohe Phasengenauigkeit (nahezu Jitter-frei)
- Schutzfunktionen ein- und ausgangsseitig
- Temperaturbereich: -40°C...+150°C
- SMD- und SIP- Gehäuse
Allegro MicroSystems Europe stellt eine neue Familie von Halleffekt-Schaltern und -Latches vor, die aufgrund
ihrer hohen Robustheit gegenüber Temperaturschwankungen bzw. thermischem Stress eine ausgezeichnete
Wiederholgenauigkeit in ihrem Schaltverhalten aufweisen.
Die neuen Hall-ICs A1120, A1220 und A1221 sind für den erweiterten Temperaturbereich von bis zu +150°C
ausgelegt und in Gehäusevarianten für Durchsteck- und SMD-Montage verfügbar.
Damit ermöglichen sie eine magnetisch optimierte Konfiguration für vielfältige Automobilelektronik-,
Industrie- und Konsumgüter-Anwendungen.
Die Hall Latches A1220 und A1221 werden typischerweise zur Erfassung von Drehzahl und Richtung von
Ringmagneten oder in Motor-Kommutierungsanwendungen eingesetzt. Der unipolare A1120 dient insbesondere
zur Positionserfassung in Wegmesssystemen wie z.B. in Endschaltern von Scheibenwischer-Systemen oder bei
der Erfassung von Schalthebelpositionen.
Das ausgezeichnete Verhalten der Sensorfamilie bei hohen Temperaturen wird durch die dynamische
Offset-Kompensation erreicht, die die Offset-Spannung reduziert, die üblicherweise durch Temperaturabhängigkeit,
thermischen Stress oder beim Vergießen der Bauelemente entsteht.
Die monolithisch aufgebauten BiCMOS-Chips beinhalten Hallelement, Spannungsregler, Hall-Element,
Differenzverstärker, Offset-Kompensationsschaltung und Schmitt-Trigger.
Außerdem ist eine kurzschlussfeste Open-Kollektor-Ausgangsstufe mit einem Ausgangsstrom bis zu 25 mA
integriert.
Der interne Spannungsregler ermöglicht den Betrieb im Nennspannungsbereich von 3 bis 24 V. Durch den weiten
Versorgungs-Spannungsbereich ergeben sich signifikante Vorteile wie z.B. der Einsatz in 3V-Applikationen. Auch
ein Schutz gegenüber Transienten ist mittels einer integrierten Z-Diode in Kombination mit einem externen
Widerstand in Serie zum Versorgungs-Pin gegeben.
Darüber hinaus sind Schutzfunktionen gegen Kurzschluss, Verpolung und elektrostatische Entladungen bis zu
3 kV HBM (Human Body Model) integriert.
Die neuen Produkte sind sowohl im Miniatur-SMT-Gehäuse (ähnlich SOT23) als auch im bekannten UA-Gehäsue
für die Durchsteckmontage lieferbar. Beide Gehäuseformen sind RoHS-konform.
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